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新能源時(shí)代碳化硅材料的應(yīng)用與碳硫儀檢測(cè)
發(fā)布時(shí)間：2023-09-12 08:59:53 點(diǎn)擊：3879
如今
，對(duì)于芯片愈來愈重視，半導(dǎo)體材料也是在不斷更新，新能源時(shí)代，對(duì)于高性能半導(dǎo)體材料更為迫切，碳化硅，作為三代半導(dǎo)體材料，對(duì)于材料的碳硫檢測(cè)，選用紅外碳硫儀作為檢測(cè)方法。三代半導(dǎo)體材料以碳化硅
、氮化鎵為代表，與前兩代半導(dǎo)體材料相比，其優(yōu)勢(shì)是較寬的禁帶寬度，保證了其可擊穿更高的電場(chǎng)強(qiáng)度，適合制備耐高壓、高頻的功率器件，是電動(dòng)汽車、5G 基站、衛(wèi)星等新興領(lǐng)域的理想材料。SiC具有寬的禁帶寬度、高擊穿電場(chǎng)
、高熱傳導(dǎo)率和高電子飽和速率的物理性能，使其有耐高溫、耐高壓、高頻、大功率、抗輻射等優(yōu)點(diǎn)，可降低下游產(chǎn)品能耗、減少終端體積。碳化硅的禁帶寬度大約為3.2eV，硅的寬帶寬度為1.12eV，大約為碳化硅禁帶寬度的1/3，這也就說明碳化硅的耐高壓性能顯著好于硅材料
碳化硅在5G基站中的應(yīng)用
此外
同時(shí)
紅外碳硫儀作為檢測(cè)材料中碳硫元素的高效方法
，被廣泛應(yīng)用，對(duì)于碳化硅材料中的硫元素可做高精度分析。上一篇：直讀光譜儀為發(fā)動(dòng)機(jī)材質(zhì)檢測(cè)提供方案 下一篇：充氬直讀光譜儀高效檢測(cè)銅中各元素
